| 摘要 |
<p>L'invention concerne la production de masques de photolithographie en extrême ultra-violet. Pour produire un jeu de N masques on effectue les opérations suivantes : - on produit un jeu de N (N entier supérieur à 1) blancs de masque pouvant avoir des défauts, - on établit une cartographie individuelle des positions des défauts (D) de chaque blanc de masque à l'aide d'une machine d'inspection, - on établit une cartographie concaténée des défauts de plusieurs masques en reportant dans une même zone utile commune à tous les masques les positions des défauts relevés par les cartographies des différents blancs de masques, - on définit des zones de défaut individuelles (ZD) associées chacune à un défaut respectif et entourant ce défaut, - en fonction de la structure à réaliser et de règles de dessin, on produit une version électronique des dessins des N masques, en tenant compte localement, dans les règles de dessin, de l'existence de chaque défaut de la cartographie concaténée, pour interdire de placer des éléments critiques dans des zones de défaut, - et on produit chacun des masques à partir d'un blanc de masque quelconque et d'un dessin respectif ainsi produit.</p> |
