Verfahren zur Herstellung eines Einkristallingots und hierdurch hergestellter Einkristallingot und Wafer

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristallingots und ein Einkristallingot und ein Wafer, die hierdurch hergestellt werden, werden bereitgestellt. Das Verfahren zur Herstellung eines Einkristallingots gemäß einer Ausführungsform umfasst das Bilden einer Siliziumschmelze in einem Tiegel innerhalb einer Kammer, das Bereitstellen eines Impfkristalls in der Siliziumschmelze und das Züchten eines Einkristallingots aus der Siliziumschmelze, und der Druck der Kammer kann in einem Bereich von 90 Torr bis 500 Torr gesteuert werden.