| 摘要 |
1. Способ формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода, включающий нанесение на подложку магниторезистивной структуры, включающей свободный и связанный магнитные слои, разделенные диэлектрической туннельной прослойкой с последующим формированием структуры элемента памяти, отличающийся тем, что с целью последующей интеграции элемента в структуру БИС технологии КМОП, перед нанесением магниторезистивной структуры на поверхность подложки для формирования нижнего немагнитного проводящего электрода методом магнетронного распыления наносят многослойную структуру Au/Та, а элемент памяти получают путем формирования структуры Au/Та/Co/TaO/Co/Au методом планарной технологии.2. Способ формирования магниторезистивного элемента на основе туннельного перехода по п.1, отличающийся тем, что с целью обеспечения сопрягаемости магниторезистивных элементов с подложкой и формирования нижней токопроводящей разрядной шины, структуру Au/Та формируют методом магнетронного распыления с суммарной толщиной 40 нм при периоде 8 нм.3. Способ формирования магниторезистивного элемента на основе туннельного перехода по п.2, отличающийся тем, что с целью формирования связанного магнитного слоя, на поверхность многослойной структуры Au/Та методом магнетронного распыления наносят первый ферромагнитный слой Со толщиной около 15 нм.4. Способ формирования магниторезистивного элемента на основе туннельного перехода по п.3, отличающийся тем, что для формирования диэлектрической туннельной прослойки между свободным и связанным магнитными слоями, первый ферромагнитный слой Со покрывают тонким слоем Та, толщи |
