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Verfahren, das folgendes umfasst: Bereitstellen eines High-Side-Treibertransistors (DMOS-HIGH), der zwischen eine positive Spannungsversorgung (+Vs) und einen Ausgang geschaltet ist und der von einem High-Side-Gate-Steuersignal angesteuert wird, Bereitstellen eines Low-Side-Treibertransistors (DMOS-LOW), der mit dem Ausgang verbunden ist und der von einem Low-Side-Gate-Steuersignal angesteuert wird, Bestimmen, ob ein mit der Zeit veränderliches Eingangssignal (IN) eine Frequenz aufweist, die größer ist als ein vorgegebener Schwellwert, und Setzen eines Flags (Fast_not_slow_state), das einen schnellen Betriebsmodus anzeigt, wenn der Schwellwert überschritten wird, Ausgeben des Low-Side-Gate-Steuersignals als eine Folge von Pulsen, die von Signalflanken in dem Eingangssignal (IN) abhängen, wenn das Flag (Fast_not_slow_state) gesetzt ist, Sperren des High-Side-Gate-Steuersignals, sodass der High-Side-Treibertransistor (DMOS-HIGH) in einem ausgeschalteten Zustand bleibt, wenn das Flag (Fast_not_slow_state) nicht gesetzt ist, Ausgeben des High-Side-Gate-Steuersignals als eine Folge von Pulsen, die von Signalflanken in dem Eingangssignal (IN) abhängen, wobei das High-Side-Gate-Steuersignals invers zu dem Low-Side-Gate-Steuersignals ist. |
