| 发明名称 |
PROCEDE POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS DISCRETS A SEMI-CONDUCTEURS OU DE CIRCUITS INTEGRES, ET DISPOSITIFS OBTENUS PAR SA MISE EN OEUVRE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
BE756646(A1) |
申请公布日期 |
1971.03.01 |
| 申请号 |
BED756646 |
申请日期 |
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| 申请人 |
SOCIETA' GENERALE SEMI-CONDUTTORI S.P.A. S. G. S., AGRATE BRIANZA, MILAN(ITALIE), |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/78;H01L23/29;H01L29/00;(IPC1-7):01L/ |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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