发明名称 具有改进电极构造的发光设备
摘要 本发明涉及具有改进电极构造的发光设备,所述设备包括:第一半导体层和第二半导体层;位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层;位于所述第一半导体层上的第一电极图案层;以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层,其中,所述第二电极图案层包括电极主体以及从所述电极主体向所述第一电极图案层延伸的多个分支电极。本发明实施例提供的具有改进电极构造的发光设备中的改进电极构造与相对较薄的透明导电氧化物层一起可以增大发光设备的发光效率。
申请公布号 CN103594595A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310573094.7 申请日期 2009.09.02
申请人 东芝技术中心有限公司 发明人 史蒂芬·D·列斯特;林朝坤
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 张伟;王英
主权项 一种发光设备,包括:第一半导体层;第二半导体层;形成在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层;形成在所述第一半导体层上的第一电极图案层,所述第一电极图案层具有拉长的C形,所述拉长的C形具有半封闭的开口;以及形成在所述第二半导体层上的第二电极图案层,所述第二电极图案层沿着所述第一电极图案层的轮廓从所述第一电极图案层的所述半封闭的开口伸出,以包围所述第一电极图案层,使得所述第一电极图案层和所述第二电极图案层的构造相互匹配。
地址 日本神奈川