TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素电极与薄膜晶体管的漏电极直接连接，且所述像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状。制造方法包括：沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，形成包括源电极和漏电极的图形；沉积半导体薄膜和透明导电薄膜，形成包括半导体层和像素电极的图形；沉积栅绝缘层和栅金属薄膜，形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形。本发明通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，简化了工艺步骤，缩短了工艺时间，降低了生产成本。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积半导体薄膜和透明导电薄膜，形成包括半导体层和像素电极的图形，像素电极与漏电极直接连接，且像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积栅绝缘层和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形；其中，所述步骤2包括：在完成步骤1的基板上，沉积一层半导体薄膜；在半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，其中光刻胶完全去除区域对应于像素电极的图形所在区域，光刻胶完全保留区域对应于半导体层的图形所在区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的半导体薄膜，形成半导体层的图形，同时去除漏电极部分表面的半导体层和掺杂半导体层，使漏电极的部分表面暴露出来；在完成前述步骤的基板上，沉积一层透明导电薄膜；采用离地剥离技术剥离半导体薄膜上的光刻胶，光刻胶上的透明导电薄膜也一同去除，形成像素电极的图形，部分像素电极覆盖在所述漏电极暴露出的部分表面上，使像素电极与漏电极直接连接，像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状，且像素电极与半导体层之间形成有间隙。