发明名称 | 形成具有栅极电极的替换栅极结构的方法 | ||
摘要 | 本文所揭露的是形成具有栅极电极的替换栅极结构的方法。在一实施例中,本方法包括移除至少一牺牲栅极电极结构以界定栅极凹口、在栅极凹口内形成栅极绝缘层、在栅极绝缘层之上的栅极凹口内实施沉积制程以沉积介金属化合物材料,以及实施至少一制程操作以移除介金属化合物材料位于栅极凹口外侧的部分。 | ||
申请公布号 | CN103594349A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
申请号 | CN201310361907.6 | 申请日期 | 2013.08.19 |
申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 崔起植;M·V·雷蒙德 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
主权项 | 一种形成晶体管用替换栅极结构的方法,其包含:移除至少一牺牲栅极电极结构以界定栅极凹口;在该栅极凹口中形成栅极绝缘层;在该栅极绝缘层之上该栅极凹口中实施沉积制程以沉积介金属化合物材料;以及实施至少一制程操作以移除该介金属化合物材料位于该栅极凹口外侧的部分。 | ||
地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 |