发明名称 |
一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法,依次包括如下步骤:(1)形成底电极;(2)在底电极上形成底粗化层;(3)在底粗化层上形成底透明导电层;(4)在底透明导电层上形成p型半导体层;(5)在p型半导体层上形成半导体发光层;(6)在半导体发光层上形成n型半导体层;(7)在n型半导体层上形成顶透明导电层;(8)在顶透明导电层上形成顶粗化层;(9)在顶粗化层上形成顶电极。 |
申请公布号 |
CN103594567A |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201310497448.4 |
申请日期 |
2013.10.21 |
申请人 |
溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
发明人 |
丛国芳 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
黄明哲 |
主权项 |
一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法,依次包括如下步骤:(1)形成底电极;(2)在底电极上形成底粗化层;(3)在底粗化层上形成底透明导电层;(4)在底透明导电层上形成p型半导体层;(5)在p型半导体层上形成半导体发光层;(6)在半导体发光层上形成n型半导体层;(7)在n型半导体层上形成顶透明导电层;(8)在顶透明导电层上形成顶粗化层;(9)在顶粗化层上形成顶电极。 |
地址 |
213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号 |