发明名称 一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法
摘要 本发明公开了一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法,依次包括如下步骤:(1)形成底电极;(2)在底电极上形成底粗化层;(3)在底粗化层上形成底透明导电层;(4)在底透明导电层上形成p型半导体层;(5)在p型半导体层上形成半导体发光层;(6)在半导体发光层上形成n型半导体层;(7)在n型半导体层上形成顶透明导电层;(8)在顶透明导电层上形成顶粗化层;(9)在顶粗化层上形成顶电极。
申请公布号 CN103594567A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310497448.4 申请日期 2013.10.21
申请人 溧阳市东大技术转移中心有限公司 发明人 丛国芳
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 黄明哲
主权项 一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法,依次包括如下步骤:(1)形成底电极;(2)在底电极上形成底粗化层;(3)在底粗化层上形成底透明导电层;(4)在底透明导电层上形成p型半导体层;(5)在p型半导体层上形成半导体发光层;(6)在半导体发光层上形成n型半导体层;(7)在n型半导体层上形成顶透明导电层;(8)在顶透明导电层上形成顶粗化层;(9)在顶粗化层上形成顶电极。
地址 213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号