发明名称 | 用于电感耦合等离子体蚀刻反应器的气体分配喷头 | ||
摘要 | 本发明公开了用于电感耦合等离子体处理装置的陶瓷喷头,电感耦合等离子体处理装置包括:处理腔室,在其中处理半导体衬底;衬底支撑件,在半导体衬底处理期间半导体衬底支撑在衬底支撑件上;以及天线,其能操作以在处理腔室中产生并保持等离子体。陶瓷喷头形成了腔室的介电窗,并且气体输送系统能操作以交替地供给蚀刻气体和沉积气体至喷头的稳压室并且在200毫秒内用沉积气体来更换稳压室中的蚀刻气体。 | ||
申请公布号 | CN103597113A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
申请号 | CN201280026355.7 | 申请日期 | 2012.05.16 |
申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 迈克·康;亚历克斯·帕特森;伊恩·J·肯沃西 |
分类号 | C23C16/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
主权项 | 一种用于电感耦合等离子体处理装置的陶瓷喷头,其中将支撑在衬底支撑件上的半导体衬底进行等离子体蚀刻,所述陶瓷喷头包括:陶瓷材料制下板,其具有平面型的下表面和阶形的上表面,所述下板在其中央部分较厚且在其外部较薄,轴向延伸的气孔位于所述外部上的环形区域中并且在所述上表面和所述下表面之间延伸,真空密封表面位于所述下表面的外周处的所述外部上,并且所述上表面上的内外真空密封表面限定所述轴向延伸的气孔所在的所述环形区域;陶瓷材料制环形上板,其具有平面型的上表面和下表面,多个径向延伸的气道从其外周向内延伸,并且多个轴向延伸的气道从其所述下表面延伸至所述径向延伸的气道;所述环形上板被构造成围绕所述下板的所述中央部分并且覆盖所述下板的所述外部的所述上表面,以使所述上板的所述轴向延伸的气道与所述下板中的所述轴向延伸的气孔流体连通。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |