化学机械抛光方法

摘要

本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：A)利用终点测量装置测量晶圆上的多个点的膜厚前值；B)根据多个点的膜厚前值对晶圆进行化学机械抛光；和C)利用终点测量装置测量多个点的膜厚后值，并根据多个点的膜厚后值来判断晶圆的表面抛光厚度是否均匀，如果晶圆的表面抛光厚度不均匀，则根据多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值对晶圆进行化学机械抛光直至晶圆的表面抛光厚度均匀。利用根据本发明实施例的化学机械抛光方法对晶圆进行化学机械抛光时无需再使用在线测量装置，从而不仅可以大大地简化进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的结构、降低化学机械抛光设备的成本，而且可以大大地降低晶圆的化学机械抛光成本。

主权项

一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：A‑1）利用抛光头夹持晶圆并使所述晶圆与抛光垫接触，其中所述晶圆的中心与终点测量装置对应；A‑2）所述抛光头自转且相对于所述抛光垫往复运动以使所述终点测量装置测量所述晶圆上的多个点的膜厚前值，其中所述抛光垫静止B）根据所述多个点的膜厚前值对所述晶圆进行化学机械抛光；C‑1）利用所述抛光头夹持所述晶圆并使所述晶圆与所述抛光垫接触，其中所述晶圆的中心与所述终点测量装置对应；C‑2）所述抛光头自转且相对于所述抛光垫往复运动以使所述终点测量装置测量所述晶圆上的所述多个点的膜厚后值，其中所述抛光垫静止；C‑3）计算所述多个点的膜厚后值中的最大值与最小值的差值，如果所述最大值与所述最小值的差值不大于预定值，则所述晶圆的表面抛光厚度均匀，否则所述晶圆的表面抛光厚度不均匀；和C‑4）如果所述晶圆的表面抛光厚度不均匀，分别计算所述多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值以便得到所述多个点的膜厚去除值，根据所述多个点的膜厚去除值对所述晶圆进行化学机械抛光直至所述最大值与所述最小值的差值不大于所述预定值。