双层超结肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种双层超结肖特基二极管，其中，功率肖特基器件的漂移区采用双层超结结构，通过该结构，在不明显损失器件正向特性的前提下，很好改善了普通超结肖特基二极管的反向击穿特性与电荷不平衡之间的关系，而且极大的改善了器件的反向恢复特性，降低了器件的输出电容，有效地降低了器件的功耗。

主权项

一种二极管，其特征在于，包括：功率肖特基器件的漂移区，其中，所述漂移区采用双层超结结构。