存储单元和驱动方法

摘要

本发明公开了存储单元和驱动方法。所述存储单元包括：存储元件，其被构造用来存储电阻状态，所述电阻状态能够在第一状态和第二状态之间改变；以及驱动部。当将所述电阻状态设定为所述第一状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第一极性的第一脉冲；当将所述电阻状态设定为所述第二状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第二极性的第二脉冲，然后暂时地施加具有所述第一极性的第三脉冲，并且随后再次施加所述第二脉冲，所述第一极性和所述第二极性是彼此不同的。根据本发明存储单元和驱动方法，能够增加可重写次数。

主权项

一种存储单元，其包括：存储元件，所述存储元件被构造用来存储电阻状态，所述电阻状态能够在第一状态与第二状态之间改变；以及驱动部，当将所述电阻状态设定为所述第一状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第一极性的第一脉冲，当将所述电阻状态设定为所述第二状态时，所述驱动部向所述存储元件施加具有第二极性的第二脉冲，然后暂时地施加具有所述第一极性的第三脉冲，并且随后再次施加所述第二脉冲，所述第一极性与所述第二极性是彼此不同的。