发明名称 |
一种可紫外光固化的聚噻吩衍生物导电高分子材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种可紫外光固化的聚噻吩衍生物导电高分子材料的制备方法,属于导电高分子材料技术领域。其通过二异氰酸酯和噻吩衍生物反应制备带有可紫外光固化光敏基团的噻吩衍生物单体,然后再聚合得到产品可紫外光固化的聚噻吩衍生物导电高分子材料。本发明中的导电高分子材料填补了紫外光固化导电高分子材料的空白,并且采用的制备路线简单易操作,催化剂及反应介质溶剂选用范围广,工艺条件温和,对反应设备要求不高,且不易发生可逆反应,收率达到65%以上,为未来该材料与制备方法的可工业化创造了有利条件。 |
申请公布号 |
CN103588961A |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201310567995.5 |
申请日期 |
2013.11.14 |
申请人 |
江南大学 |
发明人 |
袁妍;张煜霖;刘仁;刘晓亚 |
分类号 |
C08G61/12(2006.01)I;C07D333/24(2006.01)I |
主分类号 |
C08G61/12(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
殷红梅 |
主权项 |
一种可紫外光固化的聚噻吩衍生物导电高分子材料的制备方法,其特征是步骤为:(1)噻吩衍生物单体的制备:在惰性气体的保护下,将二异氰酸酯与3位上带有羟基或氨基的噻吩衍生物按照羟基摩尔比1:1混合成为反应体,并加入按反应体总重量计0.04%‑0.18%的金属锡化合物催化剂,在第一溶剂存在下,冰水浴中反应2‑4h;再升温至50‑70℃,继续反应4‑7h,获得带有异氰酸根基团的噻吩衍生物;继续在反应体中加入一端带有羟基或氨基、一端带有紫外光敏基团的化合物,及按反应体双键摩尔数计,摩尔数为0.1%‑0.5%的阻聚剂,保证其与二异氰酸酯的摩尔比为1:1,保持在70‑80℃,在惰性气体和第二溶剂存在下反应7‑12h,获得带有可紫外光固化光敏基团的噻吩衍生物单体;(2)聚合物的制备:在有机溶剂中加入步骤(1)制备的噻吩衍生物单体,在催化剂作用下以转速500‑2500r/min搅拌反应8‑16h,催化剂与噻吩衍生物单体的摩尔比为1:1‑5,随后加入有机溶剂体积量10‑15倍的甲醇沉降4‑7次,后得到可紫外光固化聚噻吩衍生物导电材料。 |
地址 |
214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |