| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有掩膜层，且所述半导体衬底内具有相互隔离的第一开口；在所述第一开口侧壁形成保护层；以所述保护层和掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一开口底部，形成第二开口；刻蚀所述第二开口的侧壁，使所述第二开口的侧壁向半导体衬底内凹陷；在刻蚀所述第二开口的侧壁之后，去除所述保护层和掩膜层，相邻第一开口和第二开口之间的半导体衬底形成鳍部。所述半导体结构的形成工艺简单，节约成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103594361A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210287367.7 | 申请日期 | 2012.08.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 焦明洁;刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有掩膜层，且所述半导体衬底内具有相互隔离的第一开口；在所述第一开口侧壁形成保护层；以所述保护层和掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一开口底部，形成第二开口；刻蚀所述第二开口的侧壁，使所述第二开口的侧壁向半导体衬底内凹陷；在刻蚀所述第二开口的侧壁之后，去除所述保护层和掩膜层，相邻第一开口和第二开口之间的半导体衬底形成鳍部。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||