发明名称 纳米银焊膏粘接大面积芯片的加压辅助烧结模块及方法
摘要 本发明公开了一种纳米银焊膏粘接大面积芯片的加压辅助烧结的模块及方法,包括螺钉、上端盖、模板和下端盖;模板根据粘接芯片的基板尺寸设置,使连接芯片的基板镶嵌在模板中间的凹槽中,并且模板的厚度与基板相同;模板置于下端盖和上端盖之间,上下端盖通过螺钉连接。本发明解决了在使用纳米银焊膏粘接大面积芯片过程中,由于芯片的遮挡而导致的焊膏层有机成分挥发不完全,从而在连接层中产生气泡或气道,形成不可靠粘接的问题。
申请公布号 CN103594395A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310508206.0 申请日期 2013.10.24
申请人 天津大学 发明人 李欣;梅云辉;陈旭;陆国权
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一种纳米银焊膏粘接大面积芯片的加压辅助烧结的模块,包括螺钉、上端盖、模板和下端盖;其特征是模板根据粘接芯片的基板尺寸设置,使连接芯片的基板镶嵌在模板中间的凹槽中,并且模板的厚度与基板相同;模板置于下端盖和上端盖之间,上下端盖通过螺钉连接。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学