| 发明名称 | 薄膜晶体管基板及其制造方法以及使用其的有机发光显示装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种有利于改善薄膜晶体管的输出和传输特性的薄膜晶体管基板、其制造方法以及使用其的有机发光显示装置，其中所述薄膜晶体管基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于基板上的下栅极电极、位于所述下栅极电极上的有源层、位于所述有源层上的源极和漏极电极、以及位于所述源极电极、漏极电极和有源层上的上栅极电极，所述上栅极电极覆盖由所述源极和漏极电极界定的沟道区域；和将所述下栅极电极与所述上栅极电极电连接的接触部。 | ||
| 申请公布号 | CN103594476A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210545227.5 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 沈钟植;南宇镇;慎弘縡;张旼揆 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板，包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于基板上的下栅极电极、位于所述下栅极电极上的有源层、位于所述有源层上的源极和漏极电极、以及位于所述源极电极、漏极电极和有源层上的上栅极电极，所述上栅极电极覆盖由所述源极和漏极电极界定的沟道区域；和将所述下栅极电极与所述上栅极电极电连接的接触部。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||