发明名称 一种可控硅触发控制方法
摘要 本发明涉及电路的控制方法,尤其涉及可控硅触发控制方法。本发明公开一种可控硅触发控制方法,包括步骤:a.采集电源零点信号的步骤;b.获得电源过零周期的步骤;c.根据步骤a采集到的当前电源零点信号和步骤b获得的电源过零周期,计算出下一个电源过零点预测时间t1,然后将该下一个电源过零点预测时间t1减去一个时间提前量△t,从而得到超前触发时间t2,即t2=t1-△t;d,根据步骤c得到的超前触发时间t2,在超前触发时间t2时输出可控硅触发脉冲信号的步骤。本发明用于可控硅触发控制电路中,能够解决因可控硅导通与电源零点不一致,因零点相位偏差引起的负载对电网的谐波、传导及Click干扰的问题。
申请公布号 CN103595387A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310583260.1 申请日期 2013.11.20
申请人 厦门市芯阳科技有限公司 发明人 刘全喜;郑铠;魏肃;杨叔仲;刘双春;柴智
分类号 H03K17/72(2006.01)I 主分类号 H03K17/72(2006.01)I
代理机构 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 代理人 程文敢
主权项 一种可控硅触发控制方法,包括步骤:a,采集电源零点信号的步骤;b,获得电源过零周期的步骤;c,根据步骤a采集到的当前电源零点信号和步骤b获得的电源过零周期,计算出下一个电源过零点预测时间t1,然后将该下一个电源过零点预测时间t1减去一个时间提前量△t,从而得到超前触发时间t2,即t2=t1‑△t;d,根据步骤c得到的超前触发时间t2,在超前触发时间t2时输出可控硅触发脉冲信号的步骤。
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