一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路

摘要

本发明公开了一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路，该射频开关电路包括一个由GaAs MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保护电路，用以防止开关由于静电带来的大电压而损坏；同时，每个直流电压偏置端还连接有一个自升压电路，用以对直流供电电压进行升压。该电路采用GaAs MOSFET器件制作开关电路，在提高射频开关速度的同时，提高了栅的动态范围，实现了低的插入损耗，提高了传统射频开关的集成性。

主权项

一种III‑V族MOSFET器件的射频开关电路，其特征在于，该射频开关电路包括一个由GaAs MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保护电路，用以防止开关由于静电带来的大电压而损坏；同时，每个直流电压偏置端还连接有一个自升压电路，用以对直流供电电压进行升压。