发明名称 一种步进式加热炉用SiSiC 质垫块及其制备方法
摘要 本发明涉及一种步进式加热炉用SiSiC质垫块的制备方法,取90~99份SiC粉、1~10份炭粉和0.5~1.5份外加剂和16~20份水,经过混磨制浆、浇注成型、湿坯烘干、渗硅反应烧结和机械加工等步骤实现制备。本发明的制备方法工艺简单、成本低,可以直接烧成,不需要氮化反应烧结。所制备的SiSiC质垫块耐高温、强度很大、抗蠕变性能强、导热系数小、抗热震性好,可取代耐热合金钢垫块。
申请公布号 CN102898164B 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201210439963.2 申请日期 2012.11.07
申请人 湖北红花高温材料有限公司 发明人 祝洪喜;汪盛明;张小东;张茂杰;邓承继;彭玮珂;李君
分类号 C04B35/66(2006.01)I 主分类号 C04B35/66(2006.01)I
代理机构 北京君智知识产权代理事务所 11305 代理人 吕世静
主权项 一种步进式加热炉用SiSiC质垫块的制备方法,其特征在于步骤如下:(1)配料:以重量份计称取90~99份SiC粉、1~10份炭粉和0.5~1.5份外加剂,再加入16~20份水,混磨制成料浆;所述的外加剂是以重量比计2:1的羧甲基纤维素与聚丙烯酸铵或聚丙烯酸钠的混合物;所述的SiC粉的纯度为SiC≥92wt%,粒度小于2.5μm,所述的炭粉的纯度为C≥90%,粒度小于3μm;(2)成型:将步骤(1)的料浆注入石膏模中浇注成型制成垫块湿坯,静置养护20~30h后脱模取出垫块湿坯;(3)干燥:将湿坯装入烘干炉中经100~120℃、保温24~48h烘干后制成垫块生坯;(4)渗硅反应烧结:在反应烧结炉中预先放置金属Si,将步骤(3)的垫块生坯置于反应烧结炉中在1700~1850℃和真空度小于100Pa的条件下保温4~32小时进行高温渗硅反应烧结,制得毛坯;(5)将毛坯进行机械加工处理,制得步进式加热炉用SiSiC质垫块。
地址 443300 湖北省宜昌市宜都市红花套镇吴家岗村六组
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