绝缘体上锗硅的形成方法

摘要

一种绝缘体上锗硅的形成方法，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上形成有绝缘层，所述第二衬底上形成有锗硅层；结合所述绝缘层和所述锗硅层，使所述第一衬底和所述第二衬底结合成一体结构；去除所述第二衬底；去除所述第二衬底后，采用对所述第二衬底和所述锗硅层具有高刻蚀选择比的清洗剂，对所述锗硅层的表面进行清洗，去除所述锗硅层表面的第二衬底的残留物。所述绝缘体上锗硅的形成方法不仅能够提高所述锗硅层中锗的含量，从而提高载流子迁移率。并且采用所述绝缘体上锗硅的形成方法形成的绝缘体上锗硅的上表面的具有更好的平坦度，从而不影响半导体器件的性能。

主权项

一种绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上形成有绝缘层，所述第二衬底上形成有锗硅层；结合所述绝缘层和所述锗硅层，使所述第一衬底和所述第二衬底结合成一体结构；去除所述第二衬底；去除所述第二衬底后，采用对所述第二衬底和所述锗硅层具有高刻蚀选择比的清洗剂，对所述锗硅层的表面进行清洗，去除所述锗硅层表面的第二衬底残留物。