| 发明名称 | 一种单层纳米薄膜忆阻器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单层纳米薄膜忆阻器及其制备方法，其中，单层纳米薄膜忆阻器，包括两个电极及置于两个电极之间的富含氧空位的Ca(1-x)SrxTiO3-δ纳米薄膜，其中，0<x<1，0<δ<3；上述纳米薄膜为单层膜，厚度为20-900纳米。本发明的单层纳米薄膜忆阻器特别适用于一般电路理论研究和电路设计、具有一般性和普适性。本发明还公开了一种单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其以Ca(1-x)SrxTiO3-δ作靶材，采用磁控溅射方法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上镀膜，镀膜的厚度为20～900nm，再经700-800℃热处理10-30min；再在Ca(1-x)SrxTiO3-δ纳米薄膜上镀上一层电极；电极厚度为50nm-50um，电极材料为Au、Ag、In-Ga或Pt。该制备方法具有工艺简单、靶材烧结温度低、制备原料易于取得、成本低等技术特点。 | ||
| 申请公布号 | CN103594620A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201310540846.X | 申请日期 | 2013.11.05 |
| 申请人 | 山东科技大学 | 发明人 | 郭梅;李玉霞;窦刚 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人 | 王连君 |
| 主权项 | 一种单层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，包括两个电极及置于两个电极之间的富含氧空位的Ca(1‑x)SrxTiO3‑δ纳米薄膜，其中，0<x<1，0<δ<3。 | ||
| 地址 | 266590 山东省青岛市经济技术开发区前湾港路579号 | ||