| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法，包括：在绝缘衬底上形成缓冲层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在缓冲层上形成第一高迁移率材料层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层；在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度，在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区，有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103594419A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210293349.X | 申请日期 | 2012.08.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 马小龙;殷华湘;付作振 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||