绝缘栅双极型晶体管

摘要

本实用新型提供一种绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、栅电极、发射极及半导体本体，该半导体本体包括：体区，具有第一导电类型；源区，具有与第一导电类型不同的第二导电类型，与体区形成第一pn结；漂移区，具有第二导电类型并位于体区的与发射极侧相反的一侧且与体区形成第二pn结；至少一个第一沟槽，形成在半导体本体表面上延伸至漂移区且与栅电极接触，至少一个第一沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分具有第一宽度第二沟槽部分具有与第一宽度不同的第二宽度；至少一个第二沟槽形成在半导体本体表面上延伸至漂移区且与发射极接触。通过将多个沟槽中一些接触发射极而非栅电极可降低栅极-发射极电容并增加发射极-集电极电容。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），包括集电极（C）、栅电极（32）、发射极（29）以及半导体本体（31），其特征在于，所述半导体本体（31）包括： 体区（24），具有第一导电类型； 源区（25），具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并且与所述体区（24）形成第一pn结； 漂移区（23），具有所述第二导电类型，并位于所述体区（24）的与所述发射极侧相反的一侧并且与所述体区（24）形成第二pn结； 至少一个第一沟槽（26a，26c），形成在所述半导体本体（31）的表面上，延伸至所述漂移区（23）并且与所述栅电极（32）接触，并且其中，所述至少一个第一沟槽（26a，26c）具有第一沟槽部分（261a，261c）和第二沟槽部分（262a，262c），所述第一沟槽部分（261a，261c）具有第一宽度，所述第二沟槽部分（262a，262c）具有与所述第一宽度不同的第二宽度；以及 至少一个第二沟槽（26b，26d），形成在所述半导体本体（31）的表面上，延伸至所述漂移区（23）并且与所述发射极（29）接触。