| 发明名称 | 一种晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体管及其形成方法，对干法刻蚀后的第一凹槽进行了修复，使得第一凹槽晶格的损坏部分被去除，之后采用湿法刻蚀工艺形成所需形状的第二凹槽时，所形成的第二凹槽中便不存在晶格受损部分，从而能够长出高质量的硅锗层，大大的提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103594367A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210290638.4 | 申请日期 | 2012.08.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 涂火金;何永根 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极结构；通过刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一凹槽；对所述第一凹槽进行修复；刻蚀所述第一凹槽形成第二凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||