发明名称 以读代写的存储器纠错方法
摘要 本发明提供一种以读代写的存储器纠错方法,主要解决了现有ECC编码过程中由于数据屏蔽的存在,导致不能顺利进行编码产生监督位或产生监督位需增加存储阵列面积的问题。该以读代写的存储器纠错方法,包括以下步骤,读入外部数据,若存在数据屏蔽,则将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列,同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出,然后再将写入的外部数据与读出的数据合并,ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息;该以读代写的存储器纠错方法解决了数据屏蔽对ECC的影响,可以复用存储器已有的读写电路,只需加入DM对读的控制。
申请公布号 CN103594120A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310537688.2 申请日期 2013.10.31
申请人 西安华芯半导体有限公司 发明人 亚历山大
分类号 G11C29/42(2006.01)I 主分类号 G11C29/42(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 杨引雪
主权项 一种以读代写的存储器纠错方法,包括以下步骤:1]读入外部数据,并判断是否存在数据屏蔽,若存在数据屏蔽则进入步骤2处理,若不存在数据屏蔽则进入步骤3处理:2]由于存在数据屏蔽,则将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列,同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出,然后再将写入的外部数据与读出的数据合并,ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息;3]由于并不存在数据屏蔽,所以外部数据直接写入,ECC编码电路用此外部数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息。
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