发明名称 | 一种多孔硅材料、制备方法及其用途 | ||
摘要 | 本发明公开了一种多孔硅材料及其制备方法。该多孔硅材料的制备方法如下:过渡金属盐前驱体在一定温度和压力及矿化剂作用下于有机溶剂中和原料硅发生原位催化反应,并通过酸洗等后处理除杂技术制备多孔硅材料。调节过渡金属盐前驱体的种类、浓度、有机溶剂种类及反应条件参数可以调控硅材料的孔径大小、分布及孔隙率。本发明可以获得目前已有技术难以得到的多孔硅材料。利用该方法制备的多孔硅材料,生产成本低,工艺简单,可大规模制备,适合于工业化生产,具有广阔的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN103588205A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
申请号 | CN201310533984.5 | 申请日期 | 2013.10.31 |
申请人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明人 | 苏发兵;张在磊;王艳红;翟世辉 |
分类号 | C01B33/021(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋 |
主权项 | 一种多孔硅材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:过渡金属盐前驱体在矿化剂作用下于有机溶剂中与原料硅发生原位催化反应,原位催化成孔,得到多孔硅材料。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条1号 |