| 发明名称 | 具有超结结构的高压IGBT | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有超结结构的高压IGBT，所述IGBT包括漂移区、位于所述漂移区上方的p型区及n型区、位于所述漂移区下方的缓冲层、以及位于所述缓冲层下方的注入层，所述漂移区为由交替相间的p柱和n柱构成的超结结构。本发明将电荷补偿原理设计的超结结构引入IGBT中，能保证高耐压的同时导通电阻大大降低；同时，横向交替存在的pn结有利于关断过程中迅速排出正向导通时存储在漂移区中的少数载流子，关断时间减少。 | ||
| 申请公布号 | CN103594502A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201310587334.9 | 申请日期 | 2013.11.19 |
| 申请人 | 西安永电电气有限责任公司 | 发明人 | 曹琳 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮 |
| 主权项 | 一种具有超结结构的高压IGBT，所述IGBT包括漂移区、位于所述漂移区上方的p型区及n型区、位于所述漂移区下方的缓冲层、以及位于所述缓冲层下方的注入层，其特征在于，所述漂移区为由交替相间的p柱和n柱构成的超结结构。 | ||
| 地址 | 710016 陕西省西安市经开区文景北路15号 | ||