| 发明名称 | 等离子体处理装置和沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：保持器，该保持器将要进行处理的物体保持在真空腔室中，同时与该物体电连接；第一卷取部分，该第一卷取部分设置成卷取导电板，并在等离子体处理时设置为与物体不同的电势；以及第二卷取部分，该第二卷取部分设置成卷取由第一卷取部分供给并经过对着由保持器保持的物体的处理表面的位置的导电板。 | ||
| 申请公布号 | CN102373443B | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201110238767.4 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 徐舸 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 蒋旭荣 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：保持器，该保持器将要进行处理的物体保持在真空腔室中，同时与该物体电连接；第一卷取部分，该第一卷取部分设置成卷取导电板，并在等离子体处理时设置为与物体的电势不同的电势；以及第二卷取部分，该第二卷取部分设置成卷取由第一卷取部分供给并经过对着由保持器保持的物体的处理表面的位置的导电板。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||