| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙，其特征在于：源漏延伸区位于栅极侧墙下方，并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。本发明还提供了该半导体器件制造方法，依照本发明的半导体器件及其制造方法，在轻掺杂的源漏延伸区上形成电阻调节层，通过施加不同的控制电压来增强源漏延伸区的积累或者耗尽，动态地调整其电阻，有效提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103594511A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210287514.0 | 申请日期 | 2012.08.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;张亚楼;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙，其特征在于：源漏延伸区位于栅极侧墙下方，并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||