发明名称 |
自保护的电压检测电路 |
摘要 |
本发明提供了一种自保护的电压检测电路,包括电压比较器、MCU、第一分压电阻、第二分压电阻、场效晶体管,车载电池电压经过第一分压电阻和第二分压电阻分压形成分压点,分压点与所述MCU的AD口相连,分压点与所述电压比较器的负端相连,所述电压比较器的正端与所述MCU的供电电压端口相连,电压比较器的输出端与所述场效晶体管相连,所述场效晶体管与所述分压点相连。本发明的有益效果是通过对采集电平和MCU工作电平的比较,来控制MOSFET管的导通,当电压采集点电平一旦超过MCU工作电平时,MOSFET管导通,电压采集点直接接地,MCU的AD输入端口不会由于外界的采集电平过高而烧坏。 |
申请公布号 |
CN103592505A |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201310620342.9 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
深圳市航盛电子股份有限公司 |
发明人 |
何照丹;郭应锋 |
分类号 |
G01R19/25(2006.01)I;G01R15/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/25(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 |
代理人 |
于标 |
主权项 |
一种自保护的电压检测电路,其特征在于:包括电压比较器、MCU、第一分压电阻、第二分压电阻、场效晶体管,车载电池电压经过第一分压电阻和第二分压电阻分压形成分压点,分压点与所述MCU的AD口相连,分压点与所述电压比较器的负端相连,所述电压比较器的正端与所述MCU的供电电压端口相连,电压比较器的输出端与所述场效晶体管相连,所述场效晶体管与所述分压点相连。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平居委福园一路航盛工业园 |