用于微电子器件的线可结合表面

摘要

本发明涉及在用于金属线结合应用的接触区/障壁层/第一结合层型的金属和金属合金层序列中的薄扩散障壁。所述扩散障壁选自Co-M-P、Co-M-B和Co-M-B-P合金，其中M选自Mn、Zr、Re、Mo、Ta和W，所述扩散障壁的厚度为0.03-0.3μm。所述第一结合层选自钯和钯合金。

主权项

半导电衬底，其包含至少一个金属层序列以生成金属线可结合表面，其中所述层序列顺次由以下组成：(i) 接触区，(ii) 选自Co‑M‑B、Co‑M‑P和Co‑M‑B‑P合金的障壁层，其中M选自Mn、Zr、Re、Mo、Ta和W且所述障壁层的厚度为0.03‑0.3μm，和(iii) 具有在0.05‑0.3μm范围内的厚度的作为第一结合层的纯钯。