一种图形化氧化物介质薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种图形化氧化物介质薄膜的方法，（1）清洗基片及光刻显影；（2）将附有图形化的光刻胶基片用氮气吹干并放入磁控溅射仪的真空室中；（3）当磁控溅射的真空度<9×10-6Pa时，开启磁控溅射仪的直流电源，通入工作气体，进行金电极溅射；（4）步骤（3）停止后，取出基片，在丙酮或酒精中对基片进行剥离，剥离后得到图形化的电极；（5）重复步骤（1）的光刻、显影，将图形化的电极放入真空室中，当真空度<9×10-6Pa时，开启射频源，通入工作气体，进行介质膜溅射；（6）步骤（5）停止后，取出基片，在丙酮或酒精中对基片进行剥离，剥离后得到图形化的介质膜。本方法介电性能优良，具有良好的应用前景。

主权项

一种图形化氧化物介质薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）清洗基片及光刻显影；（2）将附有图形化的光刻胶基片用氮气吹干并放入磁控溅射仪的真空室中；（3）当磁控溅射的真空度<9×10‑6Pa时，开启磁控溅射仪的直流电源，通入工作气体，进行金电极溅射；（4）步骤（3）停止后，取出基片，在丙酮或酒精中对基片进行剥离，剥离后得到图形化的电极；（5）重复步骤（1）的光刻、显影步骤，将图形化的电极放入真空室中，当真空度<9×10‑6Pa时，开启磁控溅射仪的射频源，通入工作气体，进行介质膜溅射；（6）步骤（5）停止后，取出基片，在丙酮或酒精中对基片进行剥离，剥离后得到图形化的介质膜。