一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供第一硅基体，在其上依次形成一缓冲层和一硬掩膜层；形成用于填充隔离材料的沟槽；沉积一隔离材料以完全填充所述沟槽；研磨所述隔离材料，以露出所述硬掩膜层；形成用于外延生长锗硅的凹槽；在所述凹槽中形成一锗硅层；去除所述硬掩膜层、缓冲层和位于所述第一硅基体之上的隔离材料；形成一氧化物层，以覆盖所述锗硅层和所述隔离材料；提供第二硅基体，将所述第一硅基体的形成有所述氧化物层的表面与所述第二硅基体的表面键合在一起；研磨所述第一硅基体的背面，以露出所述隔离材料；在所述第一硅基体的背面上形成栅极结构。根据本发明，在增强作用于NMOS晶体管的沟道区的应力的同时不损伤栅极结构。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供第一硅基体，在所述第一硅基体上依次形成一缓冲层和一硬掩膜层；在所述第一硅基体中形成用于填充隔离材料的沟槽；沉积一隔离材料于所述第一硅基体上，以完全填充所述沟槽；研磨所述隔离材料，以露出所述硬掩膜层；在所述第一硅基体中形成用于外延生长锗硅的凹槽；在所述凹槽中形成一锗硅层；去除所述硬掩膜层、所述缓冲层和位于所述第一硅基体之上的隔离材料；在所述第一硅基体上形成一氧化物层，以覆盖所述锗硅层和所述隔离材料；提供第二硅基体，将所述第一硅基体的形成有所述氧化物层的表面与所述第二硅基体的表面键合在一起；研磨所述第一硅基体的背面，以露出所述隔离材料；在所述第一硅基体的所述背面上形成栅极结构。