发明名称 |
三维可写印录存储器 |
摘要 |
本发明提出一种三维可写印录存储器(3D-wP),它含有印录存储阵列和直接可写阵列。印录存储阵列存储内容数据,内容数据通过印录法(即掩膜編程法)录入;直接可写阵列存储定制数据,定制数据通过写录法录入。在本发明中,写录法主要采用直接写入光刻法。为了保证产能,定制数据的总数据量应少于内容数据总数据量的1%。 |
申请公布号 |
CN103594471A |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201210292373.1 |
申请日期 |
2012.08.17 |
申请人 |
成都海存艾匹科技有限公司 |
发明人 |
张国飙 |
分类号 |
H01L27/102(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G11C17/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/102(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种三维可写印录存储器(3D‑wP),其特征在于包括:一半导体衬底;多个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层,所述多个存储层相互堆叠,所述存储层含有多个印录存储阵列,所述印录存储阵列中的图形代表内容数据;一写录存储阵列,所述写录存储阵列中的图形代表定制数据;所述定制数据的总数据量小于所述内容数据的总数据量的1%。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区永丰路6号B-36 |