微机电装置及其制造方法

摘要

本发明公开一种微机电装置及其制造方法，包括提供一半导体基板，其包括半导体层与内连结构。接着，形成一保护层与一光致抗蚀剂层在内连结构之上，并在光致抗蚀剂层内形成露出保护层一部分的多个开口，且去除为开口所露出的保护层及其下方的内连结构，以形成多个第一沟槽。部分去除为第一沟槽所露出的半导体层，以在半导体层内形成多个第二沟槽。以及贴附一上盖基板于保护层以形成复合基板，薄化复合基板内的半导体层，留下经薄化的半导体层。最后部分去除经薄化的半导体层并形成一第三沟槽，以在第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽之间的一区域内形成了悬浮的微加工结构。

主权项

一种微机电装置的制造方法，包括： 提供一半导体基板，包括一半导体层以及位于该半导体层上的一内连结构； 依序形成一保护层与一光致抗蚀剂层于该内连结构之上； 在该光致抗蚀剂层内形成多个开口，该些开口分别露出该保护层的一部分； 施行一第一蚀刻程序，以该光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，去除为该些开口所露出的该保护层及其下方的该内连结构，以形成露出该半导体层的一部分的多个第一沟槽； 去除该光致抗蚀剂层并露出该保护层； 施行一第二蚀刻程序，以该保护层作为蚀刻掩模，部分去除为该些第一沟槽所露出的该半导体层，以在该半导体层内形成多个第二沟槽； 提供一上盖基板，贴附于该保护层以形成一第一复合基板； 薄化该第一复合基板内的未设置有该些第二沟槽的该半导体层的一表面，留下一经薄化的半导体层；以及 施行一第三蚀刻程序，部分去除该经薄化的半导体层以于其内形成一第三沟槽，其中该 第三沟槽露出并连接了该些第二沟槽，且该些第一沟槽、该些第二沟槽与该第三沟槽之间的一区域内定义形成了一悬浮的微加工结构。