发明名称 |
集成式单向超低电容TVS器件 |
摘要 |
本实用新型提供一种集成式单向超低电容TVS器件,包括:第一导电类型衬底;位于其上的第一导电类型外延层;位于第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层;位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层,构成二极管D2;沟槽贯穿所述第二导电类型外延层的沟槽,形成了第一区域、第二区域及第三区域;位于第一区域中的第一导电类型隔离,其与第一导电类型衬底相连;位于第一区域中的第二导电类型注入区,其与所述第一导电类型隔离相连,构成二极管Z1;位于第二区域中的第一导电类型注入区,构成二极管D1;及连接所述二极管Z1及二极管D1的第一金属线,连接所述二极管D1及二极管D2的第二金属线。从而避免封装缺陷,提高器件质量。 |
申请公布号 |
CN203445118U |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201320574502.6 |
申请日期 |
2013.09.16 |
申请人 |
杭州士兰集成电路有限公司 |
发明人 |
张常军;王平 |
分类号 |
H01L27/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种集成式单向超低电容TVS器件,其特征在于,包括:第一导电类型衬底;形成于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层;形成于所述第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层;形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层,所述第一导电类型外延层与第二导电类型外延层构成二极管D2;沟槽,所述沟槽贯穿所述第二导电类型外延层,并在所述第二导电类型外延层中形成了第一区域、第二区域及第三区域;形成于所述第一区域中的第一导电类型隔离,所述第一导电类型隔离与所述第一导电类型衬底相连;形成于所述第一区域中的第二导电类型注入区,所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离相连,所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离构成二极管Z1;形成于所述第二区域中的第一导电类型注入区,所述第一导电类型注入区与第二导电类型外延层构成二极管D1;及连接所述二极管Z1及二极管D1的第一金属线,连接所述二极管D1及二极管D2的第二金属线。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 |