相变存储器及其形成方法

摘要

一种相变存储器及其形成方法，其中相变存储器的形成方法，包括：提供基底，基底表面形成有第一绝缘层，第一绝缘层内形成有开口；形成覆盖开口侧壁的第一导电层；采用离子注入工艺向第一导电层内注入离子，使部分第一导电层形成第二绝缘层，剩余部分的第一导电层形成底部电极层，所述第二绝缘层、底部电极层表面与第一绝缘层表面齐平；待形成底部电极层后，在开口内形成第三绝缘层，第三绝缘层表面与所述第一绝缘层表面齐平；在第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和底部电极层表面形成相变层；形成位于所述相变层表面的顶部电极层。形成的相变存储器的底部电极层与相变层的接触面积小，相变存储器的功耗低。

主权项

一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层内形成有开口；形成覆盖所述开口侧壁的第一导电层；采用离子注入工艺向所述第一导电层内注入离子，使部分所述第一导电层形成第二绝缘层，剩余部分的第一导电层形成底部电极层，所述第二绝缘层、底部电极层表面与第一绝缘层表面齐平；待形成底部电极层后，在所述开口内形成第三绝缘层，所述第三绝缘层表面与所述第一绝缘层表面齐平；在所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和底部电极层表面形成相变层；形成位于所述相变层表面的顶部电极层。