| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面；在每个鳍片上形成栅极堆叠结构，栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸；其中，每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部分构成器件的沟道区，每个鳍片中位于栅极堆叠结构沿第一方向的两侧的部分构成源漏区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用类菱形鳍片提高了栅控能力以有效抑制短沟道效应，此外利用外延量子阱更好地限制载流子、提高了器件驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103594512A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210293347.0 | 申请日期 | 2012.08.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 马小龙;殷华湘;许淼;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底上的多个鳍片，鳍片沿第一方向延伸，并且具有类菱形截面；栅极堆叠结构，横跨每个鳍片，沿第二方向延伸；沟道区，位于每个鳍片中栅极堆叠结构下方；源漏区，位于每个鳍片中栅极堆叠结构两侧。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||