斜面蚀刻工艺之后的铜脱色防止

摘要

一种在斜面蚀刻机中用含氟等离子体斜面边缘蚀刻具有暴露铜表面的半导体衬底的方法，其中该半导体衬底被支撑在该斜面蚀刻机中的半导体衬底支座上，该方法包含在该斜面蚀刻机中用该含氟等离子体斜面边缘蚀刻该半导体衬底；在完成该斜面边缘蚀刻后抽空该斜面蚀刻机；使脱氟气体流入该斜面蚀刻机；在该半导体衬底的外围处将该脱氟气体激励为脱氟等离子体；以及在阻止该半导体衬底的该暴露铜表面脱色的条件下用该脱氟等离子体处理该半导体衬底，其中该脱色在过长的暴露于空气中之后出现。

主权项

一种在斜面蚀刻机中用含氟等离子体斜面边缘蚀刻具有暴露铜表面的半导体衬底的方法，该半导体衬底被支撑在该斜面蚀刻机中的半导体衬底支座上，包含：在该斜面蚀刻机中用该含氟等离子体斜面边缘蚀刻该半导体衬底，其中所述含氟等离子体为NF3、CF4、SF6和/或C2F6；在完成该斜面边缘蚀刻后抽空该斜面蚀刻机；使脱氟气体流入该斜面蚀刻机，其中该脱氟气体含有氢不含氟和氧，并且能与惰性气体混合；在该半导体衬底的外围处将该脱氟气体激励为脱氟等离子体；以及用该脱氟等离子体处理该半导体衬底以阻止该半导体衬底的该暴露铜表面脱色，其中该脱色通常在暴露于空气中1小时以内出现。