| 发明名称 | 平面外移动限制结构 | ||
| 摘要 | 本发明包括用于限制平面外移动的结构和形成结构的方法。形成这样的结构的一个示例包括：提供包括在衬底材料(105,225)的表面上特定厚度的接合层(101,221)的第一晶片(100,220)；去除第一区域(103-1,103-2,223)中的所述接合层(101,221)以暴露所述衬底材料(105,225)的所述表面；将掩模施加到剩余接合层(109-1,109-4,229-1,229-3)的至少一部分和所述衬底材料在所述第一区域(109-2,109-3,229-2)中的暴露表面的一部分以形成暴露于所述衬底材料(105,225)的所述表面上的第二区域；蚀刻所述第二区域以在所述衬底材料(105,225)和所述接合层(101,221)中形成腔(110,230)；以及通过所述蚀刻在所述腔(110,230)中形成用于限制平面外移动的结构(113-1,113-2,233)，其中所述结构(113-1,113-2,233)离所述腔(115,235)的底部具有由所述接合层(101,221)的所述特定厚度所确定的特定高度。 | ||
| 申请公布号 | CN103596874A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201180071216.1 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 发明人 | D.J.米利根;R.L.阿利;P.G.哈特威尔;R.G.沃姆斯利 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马红梅;刘春元 |
| 主权项 | 一种形成用于限制平面外移动的结构的方法，所述方法包括：提供包括在第一衬底材料的表面上特定厚度的接合层的第一晶片；去除第一区域中的所述接合层以暴露所述第一衬底材料的所述表面；将掩模施加到剩余接合层的至少一部分和所述第一衬底材料在所述第一区域中的暴露表面的一部分以形成暴露于所述第一衬底材料的所述表面上的第二区域；蚀刻所述第二区域以在所述第一衬底材料和所述接合层中形成腔；以及通过所述蚀刻在所述腔中形成用于限制平面外移动的所述结构，其中所述结构离所述腔的底部具有由所述接合层的所述特定厚度所确定的特定高度。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||