正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法，本发明的晶硅太阳能电池包括依次叠加的钝化膜、磷扩散层、P型硅基体、氧化铝、保护膜和背面的铝层结构，铝层上具有间隔的凸起，凸起穿氧化铝薄膜和保护膜并嵌入P型硅基体内，钝化膜上间隔地穿设有正面银电极，正面银电极与磷扩散层之间具有重掺杂层；其制造方法包括制绒、扩散、掺杂、抛光、薄膜生长、开孔、灌孔、印刷、烧结等步骤。本发明具有低成本和可量产的优点。

主权项

一种正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池，其特征在于包括：依次叠加的钝化膜、磷扩散层、P型硅基体、氧化铝、保护膜和背面的铝层结构，所述铝层上具有间隔的凸起，所述凸起穿氧化铝薄膜和保护膜并嵌入P型硅基体内，所述钝化膜上间隔地穿设有正面银电极，所述正面银电极与磷扩散层之间具有重掺杂层。