发明名称 基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器及其检测方法
摘要 本发明公开了一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器,包含石英基片衬底、Si3N4粘附层和铂金属电极,所述Si3N4粘附层位于石英基片底衬的上表面,所述铂金属电极位于Si3N4粘附层之上;所述铂金属电极包含接触区、电导率感应电极和温度感应电极;所述基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的正面和背面还各包含一层Si3N4保护层,正面Si3N4保护层刻蚀出窗口,露出电导率感应电极和温度感应电极。本发明还公开了一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的测量方法,根据交流电流、电压差等计算出电导率,进而计算出盐度值。本发明基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器器件尺寸小,具有较高的测量范围和稳定性,可直接与海水长久接触而不产生漂移。
申请公布号 CN103592341A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310561953.0 申请日期 2013.11.12
申请人 广州中国科学院先进技术研究所 发明人 陈秋兰;唐观荣;邸思;金建;陈贤帅
分类号 G01N27/06(2006.01)I 主分类号 G01N27/06(2006.01)I
代理机构 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人 熊贤卿
主权项 一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器,其特征在于:包含石英基片衬底、Si3N4粘附层和铂金属电极,所述Si3N4粘附层位于石英基片底衬的上表面,所述铂金属电极位于Si3N4粘附层之上;所述铂金属电极包含接触区、电导率感应电极和温度感应电极;所述电导率感应电极有4个,每个电导率感应电极具有1个接触区;所述温度感应电极有1个,温度感应电极的两端各有1个接触区;所述基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的正面和背面还各包含一层Si3N4保护层,正面Si3N4保护层刻蚀出窗口,露出电导率感应电极和温度感应电极。
地址 511458 广东省广州市南沙区海滨路1121号