光电二极管光通路的制备方法

摘要

一种光电二极管光通路的制备方法，包括：提供半导体衬底，并形成电气隔离的光电二极管区域和外围器件区域；在半导体衬底的第一层间介质层内形成至少第一金属层，并在第一金属层上形成第一NDC介质层；去除位于光电二极管区域上方的第一NDC介质层；在第一NDC介质层和第一层间介质层上形成第二层间电介质层；在第二层间介质层内形成至少第二金属层，并在第二金属层上形成氮化硅钝化层；去除位于光电二极管区域空间上方的氮化硅钝化层，获取光通路。本发明避免了传统工艺的深槽刻蚀和材料填充工艺，降低了工艺难度，提高了工艺可操作性和工艺可靠性，并节省成本；同时使得光电二极管灵敏度与业界主流工艺相当，满足设计要求。

主权项

一种光电二极管光通路的制备方法，其特征在于，所述光电二极管光通路的制备方法包括：执行步骤S1：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成通过所述器件隔离层进行电气隔离的光电二极管区域和外围器件区域；执行步骤S2：在所述半导体衬底之光电二极管区域和所述外围器件区域的第一层间介质层内形成至少所述第一金属层，并在所述第一金属层之异于所述半导体衬底一侧形成所述第一NDC介质层；执行步骤S3：去除设置在所述第一金属层之上，且位于所述光电二极管区域空间上方的第一NDC介质层；执行步骤S4：在所述第一NDC介质层和所述第一层间介质层之异于所述半导体衬底的一侧形成所述第二层间电介质层；执行步骤S5：在所述第二层间介质层内形成至少所述第二金属层，并在所述第二金属层上形成所述氮化硅钝化层；执行步骤S6：去除设置在所述第二金属层之上，且位于所述光电二极管区域空间上方的氮化硅钝化层，获取所述光电二极管光通路。