蓝宝石衬底LED芯片的切割方法

摘要

本发明公开了一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，该方法包括划片槽光刻；两步感应耦合等离子体干法刻蚀分别对氮化镓和蓝宝石衬底进行刻蚀，形成划片槽；以及去除剩余的光刻胶，并对所述LED芯片进行清洗；从而避免了在划片过程中造成划片槽侧壁步平整及损伤，并且在划片槽内没有残留微粒，从而不会影响LED芯片的发光效率。

主权项

一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：将所述蓝宝石衬底进行背面减薄至50～100um，其中所述蓝宝石衬底上已制备有LED芯片及电极；在所述LED芯片正面上光阻，并对所述光阻进行光刻，在所述光阻上形成划片槽图案；以形成有划片槽图案的光阻为掩膜，在第一刻蚀条件下对所述LED芯片进行感应耦合等离子体干法刻蚀，直至刻蚀到所述蓝宝石衬底；所述第一刻蚀条件为：刻蚀气体为：Cl2和Ar，且Cl2∶Ar为1∶1～4∶1；腔室压力为：5mTorr～1.0Torr；底板功率为：200W～300W；线圈功率为：300W～1000W；以形成有划片槽图案的光阻为掩膜，在第二刻蚀条件下对所述蓝宝石衬底进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻蚀深度为10～20um，形成划片槽；所述第二刻蚀条件为：刻蚀气体为：BCl3、He及Ar，且BCl3：(He+Ar)为1∶1～4∶1；腔室压力为：5mTorr～１Torr；底板功率为：200W～300W；线圈功率为：300W～500W；去除剩佘的光刻胶，并对所述LED芯片进行清洗；对所述LED芯片依次进行裂片及扩张形成多个LED芯片单元。