一种倒装发光二极管

摘要

本发明提供一种GaN基倒装发光二极管，包括：蓝宝石衬底（1）、n型GaN层（2）、有源层（3）、p型GaN层（4），位于p型GaN层（4）上并借助隔离槽隔离的n型电极（9）和p型电极（8）。隔离槽中形成铜柱（5），n型电极（9）通过铜柱（5）与n型GaN层（2）电连接。n型电极（9）和p型电极（8）与承载基板（10）上相应的焊球和凸块电极（11）焊接。n型电极（9）和p型电极（8）面积相等且相对于隔离槽对称设置。本发明提出的发光二极管能够大幅度提高发光效率以及产品良率。

主权项

一种GaN基倒装发光二极管，包括：承载基板（10）；形成于承载基板（10）上的焊球或凸块电极（11）；倒装GaN基发光二极管结构，其包括：蓝宝石衬底（1）；形成在蓝宝石衬底（1）上的n型GaN层（2）；形成在n型GaN层（2）上的有源层（3）；形成在有源层（3）上的p型GaN层（4）；形成在p型GaN层（4）上的n型电极（9）和p型电极（8）；形成在n型电极（9）和p型电极（8）之间的隔离槽；形成在隔离槽侧壁上的绝缘层（6）；形成在隔离槽中且与n型电极（9）电连接的铜柱（5）；以及使承载基板（10）上的焊球或凸块电极（11）分别与n型电极（9）和p型电极（8）电连接。