| 发明名称 | 自旋力矩转移存储器单元结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示自旋力矩转移STT存储器单元结构及方法。一个或一个以上STT存储器单元结构包括：环状STT堆叠，所述环状STT堆叠包含介于第一铁磁材料与第二铁磁材料之间的非磁性材料；及包围所述环状STT堆叠的至少一部分的软磁性材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103597599A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201280024046.6 | 申请日期 | 2012.05.02 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 刘峻;古尔特杰·S·桑胡 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孙宝成 |
| 主权项 | 一种自旋力矩转移STT存储器单元结构，其包括：环状STT堆叠，其包含介于第一铁磁材料与第二铁磁材料之间的非磁性材料；及软磁性材料，其包围所述环状STT堆叠的至少一部分。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||