发明名称 基于逆导开关的直流升压电路
摘要 本发明公开一种电力电子技术领域的基于逆导开关的直流升压电路,包括整流电路和逆变电路,其中整流电路由四只依次串接的、基于逆导开关的整流单元和一只续流单元组成,输入为两路直流电压,输出一路直流电压。逆变电路输入直流电压,通过高频隔离变压器和半波整流器输出两路直流电压,为后级整流电路供电。本发明具有升压功能和电气隔离作用,级数越多输出直流电压等级越高,具有升压能力强、结构简单、成本低廉等优点。
申请公布号 CN103595249A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310493173.7 申请日期 2013.10.18
申请人 上海交通大学 发明人 渠浩;杨喜军
分类号 H02M3/28(2006.01)I;H02M3/158(2006.01)I 主分类号 H02M3/28(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 郭国中
主权项 一种基于逆导开关的直流升压电路,其特征在于包括整流电路和逆变电路,整流电路输入为两路直流电压,输出一路直流电压;逆变电路输入直流电压,通过高频隔离变压器和半波整流器输出两路直流电压,为后级整流电路供电;所述的整流电路包括至少四只整流单元和一只续流单元;其中:第一整流单元包括第一二极管、第一电解电容和第一、第二逆导开关,其中第一二极管的阴极与第一电解电容的正极相连后与第二整流单元的第二二极管的阳极相连,第一二极管的阳极与逆变电路中第一直流电源相连,第一电解电容的负极与第一逆导开关中MOSFET漏极和第二逆导开关中MOSFET源极接地,第一逆导开关中MOSFET源极接地,第二逆导开关中MOSFET漏极与逆变电路中第二直流电源相连,第一逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管,第二逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;第二整流单元包括第二二极管、第二电解电容和第三、第四逆导开关,其中第二二极管的阴极与第二电解电容的正极相连后与第三整流单元的第三二极管的阳极相连,第二电解电容的负极与第三逆导开关中MOSFET漏极和第四逆导开关中MOSFET源极接地,第三逆导开关中MOSFET源极接地,第四逆导开关中MOSFET漏极与逆变电路中第二直流电源相连,第三逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管,第四逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;第三整流单元包括第三二极管、第三电解电容和第五、第六逆导开关,其中第三二极管的阴极与第三电解电容的正极相连后与第四整流单元的第四二极管的阳极相连,第三电解电容的负极与第五逆导开关中MOSFET漏极和第六逆导开关中MOSFET源极接地,第五逆导开关中MOSFET源极接地,第六逆导开关中MOSFET漏极与逆变电路中第二直流电源相连,第五逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管,第六逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;第四整流单元包括第四二极管、第四电解电容和第七逆导开关,其中第四二极管的阴极与第四电解电容的正极相连后与续流单元中第五二极管的阴极相连,形成输出正极,第四电解电容的负极与第七逆导开关中MOSFET漏极相连,第七逆导开关中 MOSFET源极接地,第七逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;所述的续流单元包括第五二极管,其中第五只二极管的阴极形成输出正极,其阳极形成输出负极;所述的逆变电路包括第五电解电容、一只电压源逆变器、一只高频变压器、第六二极管、第七二极管和第六电解电容、第七电解电容,其中第五电解电容的正极与负极分别与输入第一直流电源的正极与负极相连,并与电压源逆变器输入端相连,电压源逆变器输入端与高频变压器初级绕组的两端相连,高频变压器两个次级绕组带有共用抽头,抽头接地,第一次级绕组T1与整流电路中第六二极管的阳极相连,第六二极管的阴极与第六电解电容的正极和整流电路中第一二极管的阳极相连,第二次级绕组T2与第七二极管D7的阳极相连后,并与整流电路另一输入端相连,第六电解电容的阴极接地,第七电解电容的阴极接地;其中第六二极管与第六电解电容构成一只半波整流器,第七二极管与第七电解电容构成一只半波整流器。
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