| 发明名称 | 金属源漏结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种金属源漏结构及其形成方法，其中，该方法包括以下步骤：提供以Ge层为表面的衬底；在Ge层之上形成Sn层，其中，Ge层与Sn层之间的界面为GeSn层；去除Sn层以暴露GeSn层；在GeSn层之上形成金属层。本发明能够提高器件的开关电流比和肖特基器件的电子势垒高度，具有简单易行、成本低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103594518A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201310553688.1 | 申请日期 | 2013.11.08 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 赵梅;刘磊;王敬;梁仁荣;许军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种金属源漏结构形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供以Ge层为表面的衬底；在所述Ge层之上形成Sn层，其中，所述Ge层与所述Sn层之间的界面为GeSn层；去除所述Sn层以暴露所述GeSn层；在所述GeSn层之上形成金属层。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||