用于等离子体处理的装置和方法

摘要

用于基于等离子体的处理的装置和方法，很好地适合于半导体、导体或绝缘膜的沉积、刻蚀或处理。等离子体生成单元包括衬底的处理侧的一个或多个伸长的电极以及贴近衬底的相对侧的中性电极。气体可以贴近带电电极而注入，其电学上击穿并且产生流向衬底区域的激活的组分。然后，该气体流入在带电电极与衬底之间的延伸的处理区，以高速率提供与衬底的受控和连续的反应性，其中有效地利用了反应物给料。气体经由在一个或多个带电电极与分流器之间的通路而被排出。

主权项

一种用于衬底的等离子体处理的装置，包括：电源；包括至少两个电极的至少一个等离子体生成单元(PGU)，包括至少第一电极和第二电极，其中所述第一电极是耦合到所述电源的带电电极；支撑，用于将所述衬底定位为使得所述衬底的第一侧贴近所述PGU；以及至少一个进气口和至少一个排气口，配置为提供在所述第一电极与所述第二电极之间以及在所述第一电极与所述衬底之间的气流；其中所述电极中的每一个具有长度和宽度，其中每个相应电极的长度至少为所述相应电极的宽度的四倍；其中所述第一电极和所述第二电极相对于彼此定位从而使得在所述第一电极与所述第二电极之间的最小距离小于所述第一电极的宽度，并且其中将所述第一电极定位为使得从所述第一电极到所述衬底的最小距离小于所述第一电极的宽度。